M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W160ET70N3F par Micron Technology et M29W160EB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W160ET70N3F | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,80 | $1,76 |
| Type de mémoire | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 3 V / 3.3 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boot Block Architecture | Top boot | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable | — |
| Boîtier | 48-pin TSOP | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Packaging | Tape and Reel | Tray |
| Statut RoHS | RoHS-compliant package (F option) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Interface | Parallel command set | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Organisation de la mémoire | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Boîtier / Format | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |