M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3E 对比

详细并排对比 M29W160ET70N3F 出自 Micron Technology 和 M29W160EB70N3E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ 量产中
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M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ 量产中

规格对比

参数 M29W160ET70N3F M29W160EB70N3E
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $2.80 $1.76
存储器类型 Parallel NOR Flash FLASH - NOR
存储容量 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
电源电压 3 V / 3.3 V —
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
封装 48-pin TSOP —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel Tray
RoHS 状态 RoHS-compliant package (F option) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
存储组织 — 2M x8 / 1M x16
接口 — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
工作温度 — -40C to +125C
封装 / 外壳 — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
MSL 等级 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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