M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W160ET70N3F por Micron Technology e M29W160EB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Ativo
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W160ET70N3F M29W160EB70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,80 $1,76
Tipo de memória Parallel NOR Flash FLASH - NOR
Tamanho da memória 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
Tensão de alimentação 3 V / 3.3 V —
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
Encapsulamento 48-pin TSOP —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel Tray
Status RoHS RoHS-compliant package (F option) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
Organização da memória — 2M x8 / 1M x16
Interface — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
Temperatura de operação — -40C to +125C
Encapsulamento / Caixa — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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