M29W256GH70N3E vs M29W128GH70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W256GH70N3E par Micron Technology et M29W128GH70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W256GH70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,60 | $0,00 |
| Type de mémoire | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | — |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 / 16M x 16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 3 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Interface | Parallel (asynchronous) | Parallel (asynchronous) |
| Boîtier | 56-TSOP | 56-TSOP |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Largeur du bus de données | 8/16 bit (BYTE# selectable) | 16 bit (byte/word selectable) |
| Programming Type | Command-set program/erase, block organized | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI) | — |
| Product Longevity Program | No (per family data) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Taille de mémoire | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |