M29W256GH70N3E vs M29W128GH70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W256GH70N3E メーカー: Micron Technology および M29W128GH70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W256GH70N3E M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E ✓ 生産中
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M29W128GH70N3E M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W256GH70N3E M29W128GH70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.60 $0.00
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 256 Mbit (32 MB) —
メモリ構成 32M x 8 / 16M x 16 8M x 16 / 16M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 3 V 2.7 V to 3.6 V
インターフェース Parallel (asynchronous) Parallel (asynchronous)
パッケージ 56-TSOP 56-TSOP
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
データバス幅 8/16 bit (BYTE# selectable) 16 bit (byte/word selectable)
Programming Type Command-set program/erase, block organized —
Common Flash Interface Yes (CFI) —
Product Longevity Program No (per family data) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
メモリサイズ — 128 Mbit (16 MB)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 56
Memory Density — 131072 kbit
Programming — Command-sequence program/erase with status polling
Application Segment — Automotive / Industrial code storage
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

データシート&リソース

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