M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W320DB70N3E par Micron Technology et M29W400FB55N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology
M29W400FB55N3E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | M29W320DB70N3E | M29W400FB55N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Flash | EEPROM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,95 | $0,00 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash (parallel) |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 | 512K x 8 bit / 256K x 16 bit |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Interface | Parallel | Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word typical |
| Boot Block Hardware Protection | — | Yes |
| Pins | — | 48 |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |