M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E 비교
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Micron Technology
M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology
M29W400FB55N3E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29W320DB70N3E | M29W400FB55N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.95 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash (parallel) |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 4 Mbit (4194 kbits) |
| 메모리 구성 | 2M x 16 | 512K x 8 bit / 256K x 16 bit |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word typical |
| Boot Block Hardware Protection | — | Yes |
| Pins | — | 48 |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |