M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W320DB70N3E von Micron Technology und M29W400FB55N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W320DB70N3E M29W400FB55N3E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Flash EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,95 $0,00
Speichertyp NOR Flash NOR Flash (parallel)
Density 32 Mbit (33554 kbits) 4 Mbit (4194 kbits)
Speicherorganisation 2M x 16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Schnittstelle Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status ROHS3 Compliant Compliant
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Datenblätter & Ressourcen

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