M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W320DB70N3E por Micron Technology e M29W400FB55N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Ativo
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W320DB70N3E M29W400FB55N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Flash EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $0,00
Tipo de memória NOR Flash NOR Flash (parallel)
Density 32 Mbit (33554 kbits) 4 Mbit (4194 kbits)
Organização da memória 2M x 16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Interface Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Fichas técnicas e recursos

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