M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W400FT55N3E par Micron Technology et M29W400FB55N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W400FT55N3E | M29W400FB55N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,80 | $2,55 |
| Type de mémoire | Flash - NOR Memory IC | NOR Flash |
| Taille de mémoire | 4 Mbit | 4 Mbit |
| Interface | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) | 2.7 V to 3.6 V |
| Sector Size | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) | — |
| Boot Block Position | Top (FT suffix) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Package Code / Shape | TSSOP / Rectangular | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tray | Tape & Reel (TR) |
| Peak Reflow Time | 30 s max | — |
| Companion Access-Time Grade | 55 ns and 70 ns versions available in family | — |
| Organisation de la mémoire | — | 512K x8 / 256K x16 |
| Program/Erase Supply | — | Single 2.7 V to 3.6 V |
| Byte/Word Select | — | BYTE# pin |
| Block Architecture | — | Boot block with hardware sector protection |
| Program Suspend/Erase Suspend | — | Supported |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |