M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3F Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W400FT55N3E por Micron Technology e M29W400FB55N3F por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Ativo
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29W400FT55N3E M29W400FB55N3F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,80 $2,55
Tipo de memória Flash - NOR Memory IC NOR Flash
Tamanho da memória 4 Mbit 4 Mbit
Interface Parallel Parallel (asynchronous)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
Temperatura de operação -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive —
Encapsulamento 48-TSOP I 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Organização da memória — 512K x8 / 256K x16
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Block Architecture — Boot block with hardware sector protection
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Fichas técnicas e recursos

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