M58BW32FB5ZA3T vs M58BW32FB5T3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M58BW32FB5ZA3T par Micron Technology et M58BW32FB5T3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M58BW32FB5ZA3T | M58BW32FB5T3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,88 | $6,20 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | 32 Mbit |
| Organisation de la mémoire | x32 (Boot Block, Burst) | 1M x 32 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 3.3 V (single supply) | 3.3 V |
| Burst Mode | Yes (synchronous burst read) | — |
| Block Architecture | Boot Block | — |
| Boîtier | 80-LBGA (10 x 12 mm) | 80-PQFP (14x20 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (TR) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive) |
| Read Mode | — | Asynchronous and burst read |
| Architecture | — | Boot block |
| Family | — | M58BW32F 16Mb/32Mb 3.3V parallel NOR Flash |