M58BW32FB5ZA3T vs M58BW32FB5T3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M58BW32FB5ZA3T 제조: Micron Technology 및 M58BW32FB5T3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M58BW32FB5ZA3T | M58BW32FB5T3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.88 | $6.20 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash |
| 메모리 크기 | 32 Mbit | 32 Mbit |
| 메모리 구성 | x32 (Boot Block, Burst) | 1M x 32 |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 3.3 V (single supply) | 3.3 V |
| Burst Mode | Yes (synchronous burst read) | — |
| Block Architecture | Boot Block | — |
| 패키지 | 80-LBGA (10 x 12 mm) | 80-PQFP (14x20 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (TR) |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive) |
| Read Mode | — | Asynchronous and burst read |
| Architecture | — | Boot block |
| Family | — | M58BW32F 16Mb/32Mb 3.3V parallel NOR Flash |