MPX5010D vs MPX5010DP Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MPX5010D par NXP Semiconductors et MPX5010DP par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MPX5010DP MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MPX5010D MPX5010DP
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,25 $9,60
Manufacturer NXP Semiconductors —
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure 1.45 PSI (10 kPa) max —
Type de sortie Analog Voltage Analog, ratiometric
Plage de tension de sortie 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
Tension d'alimentation 4.75 V to 5.25 V 4.75 V to 5.25 V (5 V typical)
Port Size Dual axial port (Differential) —
Accuracy [DATA_NEEDED: %FS] —
Température de fonctionnement 0C to +85C (industrial-grade derivative supported to 40C to +125C) 0 C to +85 C (compensated)
Boîtier / Format 6-SIP Module (Case 867-08) —
Type de montage Through-hole module Through-hole (SIP)
Sensor Technology Piezoresistive MEMS —
Signal Conditioning On-chip, temperature compensated and calibrated —
Courant d'alimentation [DATA_NEEDED: mA] [DATA_NEEDED: supply current mA]
Response Time [DATA_NEEDED: ms] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: verified per datasheet] Compliant
Media Compatibility Dry non-corrosive gases (air-referenced diaphragm) —
Operating Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: max overload kPa]
Sensitivity — 450 mV/kPa (typical)
Linearity — ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature C]
Port Configuration — Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube
Boîtier — 6-SIP Module
Technology — Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned

Fiches techniques et ressources

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