MRF5S19060NBR1 vs MRF5S19060MR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF5S19060NBR1 par NXP Semiconductors et MRF5S19060MR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF5S19060NBR1 MRF5S19060MR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $25,40 $25,60
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP (formerly Freescale Semiconductor)
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) N-Channel LDMOS RF Power MOSFET
Configuration Dual Die (2 x N), Common Source —
Frequency Band 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (P1dB) 60 W (CW/peak) —
Output Power (Average) 12 W avg. —
Drain Supply Voltage 28 V (typical) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 65 V (max) 65 V (max)
Power Gain 14 dB at 1.99 GHz —
Drain Current 750 mA (typical operating DC) —
Boîtier TO-272 WB-4 (overmolded plastic) TO-270 WB-4 (Ceramic)
Type de montage Surface Mount (SMD) Surface Mount / Flange Mount
Nombre de broches 5 —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Maximum Power Dissipation (Absolute) 218.8 W —
Technology Silicon LDMOS —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — MRF5S19060MR1
Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz
Drain Current (Id) — 750 mA
Output Power (Pout, avg) — 12 W (N-CDMA)
Output Power (Pout, PEP) — 60 W (typical)
Power Gain (Gps) — 14 dB (typical)
Drain Efficiency (etaD) — 45% (typical)
Operating Voltage — 28 V
Test Signal — 2 x N-CDMA
Operating Class — Class AB

Fiches techniques et ressources

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