MRF5S19060NBR1 vs MRF5S21045NBR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF5S19060NBR1 par NXP Semiconductors et MRF5S21045NBR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF5S21045NBR1 MRF5S21045NBR1 - 10W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF5S21045NBR1 - 10W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF5S21045NBR1 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF5S19060NBR1 MRF5S21045NBR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $25,40 $25,20
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor)
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS)
Configuration Dual Die (2 x N), Common Source —
Frequency Band 1930 MHz to 1990 MHz 2110 MHz to 2170 MHz
Output Power (P1dB) 60 W (CW/peak) —
Output Power (Average) 12 W avg. —
Drain Supply Voltage 28 V (typical) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 65 V (max) —
Power Gain 14 dB at 1.99 GHz 14.5 dB (typical at 2.12 GHz, 28 V)
Drain Current 750 mA (typical operating DC) —
Boîtier TO-272 WB-4 (overmolded plastic) TO-272 WB-4 (over-molded plastic)
Type de montage Surface Mount (SMD) Surface Mount
Nombre de broches 5 —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Maximum Power Dissipation (Absolute) 218.8 W —
Technology Silicon LDMOS Laterally Diffused MOS (LDMOS)
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Test Frequency — 2.12 GHz
Output Power (Avg) — 10 W
Drain-Source Voltage (Max Rated) — 68 V
Test Supply Voltage (Vdd) — 28 V
Test Current — 500 mA
Supplier Device Package — TO-272 WB-4
Operating Mode — Class AB
Application — W-CDMA base station, TDMA/CDMA, multicarrier amplifier
Compliance — RoHS (status per distributor listing - confirm at order)

Fiches techniques et ressources

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