MRF5S19060NBR1 vs MRF5S21045NBR1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF5S19060NBR1 от NXP Semiconductors и MRF5S21045NBR1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRF5S21045NBR1 MRF5S21045NBR1 - 10W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF5S21045NBR1 - 10W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF5S21045NBR1 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр MRF5S19060NBR1 MRF5S21045NBR1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $25,40 $25,20
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor)
Тип транзистора N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS)
Configuration Dual Die (2 x N), Common Source —
Frequency Band 1930 MHz to 1990 MHz 2110 MHz to 2170 MHz
Output Power (P1dB) 60 W (CW/peak) —
Output Power (Average) 12 W avg. —
Drain Supply Voltage 28 V (typical) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 65 V (max) —
Power Gain 14 dB at 1.99 GHz 14.5 dB (typical at 2.12 GHz, 28 V)
Drain Current 750 mA (typical operating DC) —
Корпус TO-272 WB-4 (overmolded plastic) TO-272 WB-4 (over-molded plastic)
Тип монтажа Surface Mount (SMD) Surface Mount
Число выводов 5 —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Maximum Power Dissipation (Absolute) 218.8 W —
Technology Silicon LDMOS Laterally Diffused MOS (LDMOS)
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Test Frequency — 2.12 GHz
Output Power (Avg) — 10 W
Drain-Source Voltage (Max Rated) — 68 V
Test Supply Voltage (Vdd) — 28 V
Test Current — 500 mA
Supplier Device Package — TO-272 WB-4
Operating Mode — Class AB
Application — W-CDMA base station, TDMA/CDMA, multicarrier amplifier
Compliance — RoHS (status per distributor listing - confirm at order)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену