MRF6V3090NR1 vs MRF6V4300NBR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF6V3090NR1 par NXP Semiconductors et MRF6V4300NBR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF6V4300NBR5 MRF6V4300NBR5 - 300W CW RF Power MOSFET, 50V, 600MHz | NXP

MRF6V4300NBR5 - 300W CW RF Power MOSFET, 50V, 600MHz | NXP

MRF6V4300NBR5 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF6V3090NR1 MRF6V4300NBR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $59,90 $125,00
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) RF Power MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode Lateral
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA —
Frequency Range 470 MHz to 1215 MHz —
Test Frequency 860 MHz 450 MHz
Output Power (CW, Pout) 90 W —
Power Gain (typical) 22 dB at 860 MHz —
Drain Efficiency (typical) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
VSWR Tolerance 10:1, all phase angles @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 W CW —
Input Power (Pin) [DATA_NEEDED: input drive level for 90 W Pout] —
Package Type TO-270 WB-4 (TO-272-4 family, ceramic air-cavity) —
Type de montage Surface Mount / Flange Mount with bolt-down heatsink Surface Mount / Flange Mount with screws
Température de jonction en fonctionnement -40C to +200C (max TJ) —
Résistance thermique [DATA_NEEDED: theta_JC value C/W] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status - ceramic flange packages typically non-RoHS-exempt] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Reel Quantity (R1 suffix) 500 per reel (R1 = 500 unit reel) —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Drain-Source Voltage (Vds) Maximum — 110 V
Continuous Drain Current (Id) — [DATA_NEEDED: continuous drain current rating]
Operating Frequency Range — 10 MHz to 600 MHz
Output Power (Pout) — 300 W CW
Power Gain (Gps) — 22 dB typical at 450 MHz, 50 V
Operating Drain Voltage (Vdd) Typical — 50 V
Power Dissipation (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd maximum]
Noise Figure (NF) Typical — [DATA_NEEDED: noise figure typical]
Input Matching — Unmatched (external matching required)
VSWR Capability — 10:1 VSWR at all phase angles, 50 V, 860 MHz reference
Boîtier — TO-272 WB-4 (NI-1230 ceramic overmolded, bolt-down flange)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: junction/operating temperature]
Tape & Reel Packaging — Yes (suffix R5 indicates 250-unit reel)

Fiches techniques et ressources

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