MRFE6P9220HR3 vs MRFE6S9200HR3 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MRFE6P9220HR3 par NXP Semiconductors et MRFE6S9200HR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MRFE6P9220HR3 | MRFE6S9200HR3 |
|---|---|---|
| Marque | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $232,20 | $52,30 |
| Type de transistor | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral | N-Channel LDMOS (RF Power) |
| Technology | RF Power MOSFET | Enhancement-mode LDMOS (HV6E) |
| Frequency Range | 865 MHz to 1000 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Max | 66 V | — |
| Test Supply Voltage | 28 V | 28 V |
| Test Drain Current | 1.6 A | — |
| Output Power (Avg, N-CDMA) | 47 W | — |
| Peak Output Power | 200 W | — |
| Power Gain (Typ) | 20 dB at 880 MHz | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] | — |
| Boîtier | NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount | NI-880H-2L ceramic air-cavity |
| Configuration | Common source, 2 elements | — |
| Type de montage | Surface Mount with copper heatsink pad | Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] | — |
| Lead Free Status | Lead Free | Lead Free (per datasheet) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Frequency | — | 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 66 V |
| Test Quiescent Current | — | 1.4 A |
| Output Power (Avg) | — | 58 W (W-CDMA) |
| Power Gain | — | 21 dB at 880 MHz |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 557.27 pF at 28 V |
| Operating Mode | — | Class AB, Class C, Doherty |
| Target Application | — | W-CDMA base-station final stage |