MRFE6P9220HR3 vs MRFE6S9200HR3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRFE6P9220HR3 por NXP Semiconductors y MRFE6S9200HR3 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRFE6P9220HR3 MRFE6P9220HR3 - 47W 900MHz RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6P9220HR3 - 47W 900MHz RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6P9220HR3 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HR3 - 880MHz 58W RF Power LDMOS | NXP

MRFE6S9200HR3 - 880MHz 58W RF Power LDMOS | NXP

MRFE6S9200HR3 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRFE6P9220HR3 MRFE6S9200HR3
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $232,20 $52,30
Tipo de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral N-Channel LDMOS (RF Power)
Technology RF Power MOSFET Enhancement-mode LDMOS (HV6E)
Frequency Range 865 MHz to 1000 MHz —
Test Frequency 880 MHz —
Drain-Source Voltage (Vdss) Max 66 V —
Test Supply Voltage 28 V 28 V
Test Drain Current 1.6 A —
Output Power (Avg, N-CDMA) 47 W —
Peak Output Power 200 W —
Power Gain (Typ) 20 dB at 880 MHz —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] —
Encapsulado NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount NI-880H-2L ceramic air-cavity
Configuration Common source, 2 elements —
Tipo de montaje Surface Mount with copper heatsink pad Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Lead Free Status Lead Free Lead Free (per datasheet)
Estado RoHS Compliant Compliant
Frequency — 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz
Drain-Source Voltage (Vdss) Rated — 66 V
Test Quiescent Current — 1.4 A
Output Power (Avg) — 58 W (W-CDMA)
Power Gain — 21 dB at 880 MHz
Input Capacitance (Ciss) — 557.27 pF at 28 V
Operating Mode — Class AB, Class C, Doherty
Target Application — W-CDMA base-station final stage

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