MRFG35010NR5 vs MRFG35005NR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRFG35010NR5 par NXP Semiconductors et MRFG35005NR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35005NR5 MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MRFG35010NR5 MRFG35005NR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,60 $25,75
Type de transistor pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz —
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A 1.7 A
Boîtier / Format PLD-1.5 PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Type de montage Surface Mount Flange / Chassis Mount
Configuration Single, unmatched Single, N-Channel
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance]
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] —
Operating Frequency — 3.55 GHz
Power Gain — 11 dB
Output Power — 4.5 W
Test Voltage — 12 V
Quiescent Current (Idq) — 80 mA
Drain-Source Voltage Rating — 15 V
Packaging — Bulk / Tape & Reel
Part Status — Obsolete

Fiches techniques et ressources

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