MRFG35010NR5 vs MRFG35005NR5 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRFG35010NR5 от NXP Semiconductors и MRFG35005NR5 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35005NR5 MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр MRFG35010NR5 MRFG35005NR5
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Obsolete Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $9,60 $25,75
Тип транзистора pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz —
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A 1.7 A
Корпус / Типоразмер PLD-1.5 PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Тип монтажа Surface Mount Flange / Chassis Mount
Configuration Single, unmatched Single, N-Channel
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance]
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] —
Operating Frequency — 3.55 GHz
Power Gain — 11 dB
Output Power — 4.5 W
Test Voltage — 12 V
Quiescent Current (Idq) — 80 mA
Drain-Source Voltage Rating — 15 V
Packaging — Bulk / Tape & Reel
Part Status — Obsolete

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену