MRFG35010NR5 vs MRFG35005NR5 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MRFG35010NR5 von NXP Semiconductors und MRFG35005NR5 von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35005NR5 MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter MRFG35010NR5 MRFG35005NR5
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Obsolete Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,60 $25,75
Transistortyp pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz —
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A 1.7 A
Gehäuse / Bauform PLD-1.5 PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Montageart Surface Mount Flange / Chassis Mount
Configuration Single, unmatched Single, N-Channel
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance]
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] —
Operating Frequency — 3.55 GHz
Power Gain — 11 dB
Output Power — 4.5 W
Test Voltage — 12 V
Quiescent Current (Idq) — 80 mA
Drain-Source Voltage Rating — 15 V
Packaging — Bulk / Tape & Reel
Part Status — Obsolete

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