MRFG35010NR5 vs MRFG35005NR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRFG35010NR5 por NXP Semiconductors y MRFG35005NR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35005NR5 MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MRFG35010NR5 MRFG35005NR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,60 $25,75
Tipo de transistor pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz —
Operating Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Gain 10 dB (typical at 3.55 GHz) —
Output Power (CW) 9 W —
Voltage - Rated 15 V —
Voltage - Test 12 V —
Current - Test 180 mA —
Current Rating 2.9 A 1.7 A
Encapsulado / Carcasa PLD-1.5 PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Tipo de montaje Surface Mount Flange / Chassis Mount
Configuration Single, unmatched Single, N-Channel
Application WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance]
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead free status] —
Operating Frequency — 3.55 GHz
Power Gain — 11 dB
Output Power — 4.5 W
Test Voltage — 12 V
Quiescent Current (Idq) — 80 mA
Drain-Source Voltage Rating — 15 V
Packaging — Bulk / Tape & Reel
Part Status — Obsolete

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