MRFG35010NT1 vs MRFG35010AR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRFG35010NT1 par NXP Semiconductors et MRFG35010AR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRFG35010NT1 MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010AR5 MRFG35010AR5 - 3.5 GHz pHEMT RF Power FET, 10dB Gain | NXP

MRFG35010AR5 - 3.5 GHz pHEMT RF Power FET, 10dB Gain | NXP

MRFG35010AR5 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRFG35010NT1 MRFG35010AR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs Transistors
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $25,95 $38,40
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFG35010NT1 —
Type de transistor GaAs pHEMT RF Power FET pHEMT GaAs RF Power FET (N-Channel)
Drain-Source Voltage Rating (Vds) 15 V —
Continuous Drain Current Rating 2.9 A —
Operating Frequency 3.55 GHz —
Frequency Range 1.8 GHz to 3.6 GHz —
Test Voltage 12 V —
Test Current (quiescent) 180 mA —
Associated Power Gain 10 dB at 3.55 GHz —
Output Power 9 W at 3.55 GHz —
Configuration Unmatched, common source Single N-channel die
Class of Operation Class AB linear —
Boîtier / Format PLD-1.5 flanged ceramic —
Supplier Device Package PLD-1.5 —
Type de montage Chassis-mount / flange-bolt Surface Mount (with bolted heatsink)
Lead Free Status Lead free (per datasheet) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: rohs status]
Frequency — 3.55 GHz (typical), 3.4-3.8 GHz band
Drain Voltage (Vds) Rated — 15 V
Drain Current Rating — 2.9 A (pulsed)
Quiescent Drain Current (Idq) — 140 mA
Output Power (Pout) — 1 W (CW)
Power Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Technology — GaAs pseudomorphic HEMT
Boîtier — NI-360HF (ceramic flange, surface mount)
Operating Mode — Class AB (typical RF PA)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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