MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8AG-062E par Micron Technology et H5AN8G8NCJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A1G8AG-062E | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) | — |
| Clock Cycle Time | 19 ns class (-062E speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Access Time (CAS Latency class) | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| CA Parity | Supported (DDR4 command/address parity) | — |
| Packaging Option | Tape and Reel (TR / :R suffix) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead-Free & Halogen-Free |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Débit de données | — | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Caractéristiques | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |