MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A1G8AG-062E por Micron Technology e H5AN8G8NCJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NCJR-PBC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $2,40
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gb (1 GB)
Organização da memória 1G x 8 1G x 8 (x8)
Interface Parallel —
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Encapsulamento 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Lead-Free & Halogen-Free
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Interface Voltage (VDDQ) — 1.2 V (SSTL12)
Taxa de dados — [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)]
Architecture — CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked
Bank Structure — 8 internal banks, bank-group architecture
Burst Length — BL8
Recursos — ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh
Die Revision Family — CJR (H5AN8G8NCJR-xxC)
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Typical Applications — PC/server main memory, embedded solder-down memory

Fichas técnicas e recursos

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