MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-PBC 比較
詳細な並列比較: MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5AN8G8NCJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT40A1G8AG-062E | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.10 | $2.40 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) | — |
| Clock Cycle Time | 19 ns class (-062E speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| パッケージ | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Access Time (CAS Latency class) | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| CA Parity | Supported (DDR4 command/address parity) | — |
| Packaging Option | Tape and Reel (TR / :R suffix) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead-Free & Halogen-Free |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| データレート | — | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| 特長 | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| 動作温度 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |