MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WB-BICR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8SA-062E par Micron Technology et K4A8G085WB-BICR par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,05 | $4,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Nombre de broches | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |