MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WB-BICR 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A1G8SA-062E 제조: Micron Technology 및 K4A8G085WB-BICR 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.05 | $4.25 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| 동작 온도 | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 특징 | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| 공급 전압 | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| 핀 수 | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |