MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16TB-062E:R Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-075E par Micron Technology et MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16JY-075E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $30,50 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1600 MHz |
| Débit de données | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Caractéristiques | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Latence CAS | — | 22 |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |