MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16TB-062E:R Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16JY-075E от Micron Technology и MT40A512M16TB-062E:R от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16JY-075E MT40A512M16TB-062E:R
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $30,50 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
Организация памяти 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz 1600 MHz
Скорость передачи данных 2666 MT/s 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) 2.5V (-125mV, +250mV)
Интерфейс Parallel Parallel
Корпус 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Тип монтажа Surface Mount —
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
Статус RoHS Compliant Compliant
Особенности Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Задержка CAS — 22
Рабочая температура — 0°C to +95°C
Разрядность шины данных — 16 bits

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену