MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4-75BIN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology et AS4C512M16D4-75BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActifAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16JY-07EAIT:B | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $8,99 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.333 GHz |
| Débit de données | 2666 MT/s | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Interface | Parallel | POD |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |