MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4-75BIN Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16JY-07EAIT:B от Micron Technology и AS4C512M16D4-75BIN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4-75BIN
Бренд Micron Technology Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,10 $8,99
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit 8 Gbit
Организация памяти 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz 1.333 GHz
Скорость передачи данных 2666 MT/s 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Интерфейс Parallel POD
Корпус 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13)
Диапазон рабочих температур -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Напряжение питания — 1.2 V
Рабочая температура — -40°C to +95°C
Тип монтажа — Surface Mount
Количество выводов — 96
Статус RoHS — Compliant
Особенности — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену