MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4-75BIN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology e AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4-75BIN
Marca Micron Technology Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $8,99
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gbit
Organização da memória 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz 1.333 GHz
Taxa de dados 2666 MT/s 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interface Parallel POD
Encapsulamento 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13)
Faixa de temperatura de operação -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Tensão de alimentação — 1.2 V
Temperatura de operação — -40°C to +95°C
Tipo de montagem — Surface Mount
Número de pinos — 96
Status RoHS — Compliant
Recursos — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Fichas técnicas e recursos

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