MT40A512M16LY-075 vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-075 par Micron Technology et H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-075 H5AN8G6NDJR-XNC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $27,89 $55,68
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Clock Speed 1.33 GHz —
Débit de données DDR4-2666 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Type de montage Surface Mount —
Taille de mémoire — 8 Gb
Memory Organization — 512M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Fiches techniques et ressources

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