MT40A512M16LY-075 vs H5AN8G6NDJR-XNC 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-075 メーカー: Micron Technology および H5AN8G6NDJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-075 H5AN8G6NDJR-XNC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $27.89 $55.68
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 —
Clock Speed 1.33 GHz —
データレート DDR4-2666 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13.5 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
動作温度範囲 0°C to +95°C —
実装タイプ Surface Mount —
メモリサイズ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

データシート&リソース

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