N25Q256A83ESFA0F vs N25Q512A83G12A0F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de N25Q256A83ESFA0F par Micron Technology et N25Q512A83G12A0F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | N25Q256A83ESFA0F | N25Q512A83G12A0F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | EEPROM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $5,20 |
| Type de mémoire | NOR Flash, Serial SPI | Flash - NOR Memory IC |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | — |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 | 128M x 4 |
| Interface | SPI, Multiple I/O (Single/Dual/Quad) | SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) |
| Max Clock Frequency | 108 MHz | — |
| Tension d'alimentation | 3 V (2.7 V to 3.6 V) | 2.7 V to 3.6 V (3V class) |
| Technology | 65nm NOR | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Caractéristiques | Execute-In-Place (XIP), Advanced Write Protection | — |
| Boîtier | 16-SOIC Wide (16SO) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Grade | Industrial | — |
| Memory Capacity | — | 512 Mbit (64 MB) |
| Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Cell Type | — | SLC |
| Package Structure | — | Dual-Die Package (DDP) |
| Program/Erase Protection | — | Software and hardware write protection |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |