N25Q256A83ESFA0F vs N25Q512A83G12A0F 비교

다음의 상세 나란히 비교: N25Q256A83ESFA0F 제조: Micron Technology 및 N25Q512A83G12A0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
N25Q256A83ESFA0F N25Q256A83ESFA0F - 256Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q256A83ESFA0F - 256Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q256A83ESFA0F ✓ 활성
Micron Technology
N25Q512A83G12A0F N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F ✓ 활성

사양 비교

파라미터 N25Q256A83ESFA0F N25Q512A83G12A0F
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 EEPROM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.05 $5.20
메모리 유형 NOR Flash, Serial SPI Flash - NOR Memory IC
Density 256 Mbit (32 MB) —
메모리 구성 32M x 8 128M x 4
인터페이스 SPI, Multiple I/O (Single/Dual/Quad) SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad)
Max Clock Frequency 108 MHz —
공급 전압 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V (3V class)
Technology 65nm NOR —
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
동작 온도 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
특징 Execute-In-Place (XIP), Advanced Write Protection —
패키지 16-SOIC Wide (16SO) 24-T-PBGA (6x8 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Grade Industrial —
Memory Capacity — 512 Mbit (64 MB)
Clock Frequency — 108 MHz
Cell Type — SLC
Package Structure — Dual-Die Package (DDP)
Program/Erase Protection — Software and hardware write protection
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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