N25Q512A83G12A0F vs N25Q256A83ESFA0F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de N25Q512A83G12A0F par Micron Technology et N25Q256A83ESFA0F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | N25Q512A83G12A0F | N25Q256A83ESFA0F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | EEPROM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,20 | $2,05 |
| Type de mémoire | Flash - NOR Memory IC | NOR Flash, Serial SPI |
| Memory Capacity | 512 Mbit (64 MB) | — |
| Organisation de la mémoire | 128M x 4 | 32M x 8 |
| Interface | SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) | SPI, Multiple I/O (Single/Dual/Quad) |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V (3V class) | 3 V (2.7 V to 3.6 V) |
| Cell Type | SLC | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| Boîtier | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 16-SOIC Wide (16SO) |
| Package Structure | Dual-Die Package (DDP) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Protection | Software and hardware write protection | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 256 Mbit (32 MB) |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Technology | — | 65nm NOR |
| Caractéristiques | — | Execute-In-Place (XIP), Advanced Write Protection |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Grade | — | Industrial |