N25Q512A83G12A0F vs N25Q256A83ESFA0F 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q512A83G12A0F 제조: Micron Technology 및 N25Q256A83ESFA0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q512A83G12A0F | N25Q256A83ESFA0F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.20 | $2.05 |
| 메모리 유형 | Flash - NOR Memory IC | NOR Flash, Serial SPI |
| Memory Capacity | 512 Mbit (64 MB) | — |
| 메모리 구성 | 128M x 4 | 32M x 8 |
| 인터페이스 | SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) | SPI, Multiple I/O (Single/Dual/Quad) |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V (3V class) | 3 V (2.7 V to 3.6 V) |
| Cell Type | SLC | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| 패키지 | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 16-SOIC Wide (16SO) |
| Package Structure | Dual-Die Package (DDP) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Protection | Software and hardware write protection | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 256 Mbit (32 MB) |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Technology | — | 65nm NOR |
| 특징 | — | Execute-In-Place (XIP), Advanced Write Protection |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Grade | — | Industrial |