NT5CC256M16CN-FLNA vs MT41K256M16HA-125 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CN-FLNA par Nanya Technology et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLNA NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CC256M16CN-FLNA MT41K256M16HA-125
Marque Nanya Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,00 $6,36
Type de mémoire DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Débit de données 1866 Mbps (max) —
Latence CAS 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8, 4 —
Number of Banks 8 —
Boîtier 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Plage de température de fonctionnement 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive —
Storage Temperature -55C to +100C —
Refresh Auto-refresh, self-refresh, TCSR —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Largeur du bus de données — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Tension d'alimentation — 1.35 V
Nombre de broches — 96
Type de montage — Surface Mount
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Fiches techniques et ressources

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