NT5CC256M16CN-FLNA vs MT41K256M16HA-125 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CN-FLNA 제조: Nanya Technology 및 MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLNA NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CC256M16CN-FLNA MT41K256M16HA-125
브랜드 Nanya Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.00 $6.36
메모리 유형 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
메모리 구성 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
데이터 속도 1866 Mbps (max) —
CAS 레이턴시 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8, 4 —
Number of Banks 8 —
패키지 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
동작 온도 범위 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive —
Storage Temperature -55C to +100C —
Refresh Auto-refresh, self-refresh, TCSR —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
데이터 버스 폭 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
공급 전압 — 1.35 V
핀 수 — 96
실장 유형 — Surface Mount
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청