NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DIB par Nanya Technology et K4B4G1646D-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Débit de données | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Boîtier | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 85°C |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |