NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 比較

詳細な並列比較: NT5CC256M16CP-DIB メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646D-BYK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology

NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology

NT5CC256M16CP-DIB ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CC256M16CP-DIB K4B4G1646D-BYK0
ブランド Nanya Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $2.90
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gbit
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35V 1.35 V (1.5 V compatible)
データレート 1600 Mbps (DDR3L-1600) 1600 Mbps (PC3-12800)
パッケージ TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Internal Banks 8 —
Refresh Cycles 8192 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
RoHS Compliant —
ハロゲンフリー Yes —
Package Shape Rectangular —
動作温度 — 0°C to 85°C
CASレイテンシ — Programmable (e.g., 11, 10, 9)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
On-Die Termination — Yes
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
RoHS Compliant — Yes
ピン数 — 96
Die Revision — D-die

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼