NT5CC256M16CP-DIB vs K4B4G1646D-BYK0 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CP-DIB 제조: Nanya Technology 및 K4B4G1646D-BYK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16CP-DIB | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $2.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| 패키지 | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| 동작 온도 | — | 0°C to 85°C |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| 핀 수 | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |