SI1563DH-T1-E3 vs SI1553DL-T1-E3 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de SI1563DH-T1-E3 par Vishay Intertechnology et SI1553DL-T1-E3 par Vishay Intertechnology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Vishay Intertechnology
SI1563DH-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Vishay
SI1563DH-T1-E3 ✓ ActifVishay Intertechnology
SI1553DL-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET, SC-70-6 | Vishay
SI1553DL-T1-E3 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | SI1563DH-T1-E3 | SI1553DL-T1-E3 |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Intertechnology | Vishay Intertechnology |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,29 | $0,22 |
| Configuration | Complementary N/P-Channel MOSFET array | N-Channel + P-Channel (Complementary Pair) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V (N-channel and P-channel) | 20 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 1.13 A | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 880 mA | — |
| Total Device Power Dissipation (PD) | 570 mW | — |
| Gate Threshold Type | Low-threshold (logic-level compatible) | — |
| Boîtier | SC-70-6 (SOT-363), 6 pins | SC-70-6 (SOT-363 / SC-88) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | TrenchFET (Vishay Gen III) | TrenchFET |
| Polarity | N-channel + P-channel (complementary pair) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | Yes (per Vishay ordering info) | — |
| Sans halogène | Per ordering option Si1563DH-T1-GE3 | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (RoHS Directive 2002/95/EC) |
| Manufacturer | — | Vishay Siliconix |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±8 V |
| Continuous Drain Current N-Ch (ID) | — | 660 mA |
| Continuous Drain Current P-Ch (ID) | — | 410 mA |
| On-Resistance N-Ch (RDS(on)) | — | 5 Ω typical @ VGS = 2.5 V |
| On-Resistance P-Ch (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 0.9 V typical |
| Total Power Dissipation | — | 270 mW |
| Halogen-Free Option | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| Lead (Pb) Content | — | Lead-free (E3 suffix) |