SI1563DH-T1-E3 vs SI1553DL-T1-E3 比較

詳細な並列比較: SI1563DH-T1-E3 メーカー: Vishay Intertechnology および SI1553DL-T1-E3 メーカー: Vishay Intertechnology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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SI1563DH-T1-E3 SI1563DH-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Vishay

SI1563DH-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Vishay

SI1563DH-T1-E3 ✓ 生産中
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SI1553DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET, SC-70-6 | Vishay

SI1553DL-T1-E3 - 20V Complementary N/P MOSFET, SC-70-6 | Vishay

SI1553DL-T1-E3 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ SI1563DH-T1-E3 SI1553DL-T1-E3
ブランド Vishay Intertechnology Vishay Intertechnology
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.29 $0.22
Configuration Complementary N/P-Channel MOSFET array N-Channel + P-Channel (Complementary Pair)
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (N-channel and P-channel) 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 1.13 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 880 mA —
Total Device Power Dissipation (PD) 570 mW —
Gate Threshold Type Low-threshold (logic-level compatible) —
パッケージ SC-70-6 (SOT-363), 6 pins SC-70-6 (SOT-363 / SC-88)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology TrenchFET (Vishay Gen III) TrenchFET
Polarity N-channel + P-channel (complementary pair) —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C
Lead-Free Yes (per Vishay ordering info) —
ハロゲンフリー Per ordering option Si1563DH-T1-GE3 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS ステータス Compliant Compliant (RoHS Directive 2002/95/EC)
Manufacturer — Vishay Siliconix
Gate-Source Voltage (VGS) — ±8 V
Continuous Drain Current N-Ch (ID) — 660 mA
Continuous Drain Current P-Ch (ID) — 410 mA
On-Resistance N-Ch (RDS(on)) — 5 Ω typical @ VGS = 2.5 V
On-Resistance P-Ch (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.9 V typical
Total Power Dissipation — 270 mW
Halogen-Free Option — Yes (per IEC 61249-2-21)
Lead (Pb) Content — Lead-free (E3 suffix)

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