SRVBS260NT3G vs SS0530_R1_00001 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de SRVBS260NT3G par onsemi et SS0530_R1_00001 par Panjit. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | SRVBS260NT3G | SS0530_R1_00001 |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | Panjit |
| Catégorie | Diodes | Diodes |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,11 | $0,04 |
| Manufacturer | onsemi | Panjit International Inc. |
| Product Type | Schottky Power Rectifier (single diode) | — |
| Boîtier | SMB (surface mount, C-bend leads) | SOD-123 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Reverse Test Voltage (VRRM) | 60 V | — |
| Maximum Average Forward Current (IF(AV)) | 2 A | — |
| Maximum Forward Voltage (VF) | 0.63 V at 2 A | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +125 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| Terminal Form | C BEND | — |
| Terminal Position | DUAL | — |
| Number of Terminals | 2 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Finish | Matte Tin | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Diode Technology | Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact) | — |
| Diode Type | — | Schottky Barrier Diode (SBD) |
| Configuration | — | Single, 1 Phase, 1 Element |
| Reverse Voltage (VRRM) | — | 30 V |
| Average Rectified Forward Current (IF(AV)) | — | 500 mA |
| Forward Voltage Drop (VF) | — | 430 mV @ 500 mA |
| Nombre de broches | — | 2 |
| Forward Surge Current (IFSM) | — | [DATA_NEEDED: IFSM] |
| Reverse Leakage Current (IR) | — | [DATA_NEEDED: IR at rated VR] |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr] |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Technology | — | Schottky (metal-semiconductor junction) |