STBV45-AP vs STBV45 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STBV45-AP par STMicroelectronics et STBV45 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre STBV45-AP STBV45
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,16 $0,31
Type de transistor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Technology High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 400 V 400 V
Tension collecteur-base (Vcbo) [DATA_NEEDED: VCBO value] 400 V
Tension émetteur-base (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO value] [DATA_NEEDED: VEBO rating]
Continuous Collector Current (IC) 0.75 A 750 mA
Peak Collector Current [DATA_NEEDED: ICM value] —
Total Power Dissipation (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] [DATA_NEEDED: minimum hFE value]
Fréquence de transition (ft) [DATA_NEEDED: fT] [DATA_NEEDED: fT value]
Switching Speed Very high (fast-switching grade) —
Reverse Bias SOA Wide RBSOA per datasheet —
Boîtier TO-92AP (Ammopack, radial leads) TO-92-3 (through-hole)
Type de montage Through-Hole (Ammopack tape) Through Hole
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max] [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Power Dissipation (Pd) — 950 mW
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: VCE(sat) value]
Pinout — Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard)

Fiches techniques et ressources

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